真空性能

极限真空度：≤1×10⁻⁶ Pa（搭配冷阱可达更低）

抽气效率：从大气到 1×10⁻³ Pa 需约 15 分钟（配置 200 L/s 扩散泵）

真空维持：支持 load-lock 结构，基板传输时保持腔室真空状态

基板处理能力

兼容尺寸：≤8 英寸晶圆或定制尺寸基板（如柔性衬底）

温度控制：基板加热范围 RT~500℃，支持梯度温控以优化薄膜应力

传输方式：全自动 cassette-to-cassette 模式，每小时处理量可达 15 片以上

蒸发源配置

蒸发类型：电子束蒸发（EB）、电阻蒸发（RE）可选

蒸发源数量：标配 2~4 个独立蒸发源，支持多层膜共蒸发

沉积速率：0.1~50 nm/s（金属材料典型值），通过质谱实时监控调整

薄膜质量控制

均匀性：片内厚度偏差≤±1%（8 英寸晶圆），片间一致性 ±2 nm

纯度：杂质含量＜0.1 ppm（超高真空环境抑制污染）

应力调控：通过基板偏压或离子辅助沉积（IAD）降低薄膜应力

工艺扩展性

气体引入：支持 Ar、O₂、N₂等工艺气体，实现反应性蒸发（如氧化物沉积）

智能监控：集成气体流量闭环控制、温度 PID 调节及故障诊断系统